W66AP6NBQAGJ TR
IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA
型号:
W66AP6NBQAGJ TR
制造商:
Winbond Electronics
类别:
集成电路(ICs) > 存储器 > 存储器
描述:
IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA
RoHS:
YES
W66AP6NBQAGJ TR规格
零件状态 :
Active
安装类型 :
Surface Mount
内存类型 :
Volatile
工作温度 :
-40°C ~ 105°C (TC)
内存容量 :
1Gbit
内存格式 :
DRAM
存储器结构 :
64M x 16
访问时间 :
3.6 ns
技术 :
SDRAM - Mobile LPDDR4
电压 - 供电 :
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
封装 / 外壳 :
200-TFBGA
供应商器件封装 :
200-TFBGA (10x14.5)
内存接口 :
LVSTL_11
写入周期时间 - 字,页 :
18ns
时钟频率 :
1.867 GHz