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W66BP6NBHAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 100VFBGA
型号：
W66BP6NBHAGJ TR
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（ICs）
> 存储器
> 存储器
描述：
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 100VFBGA
RoHS：
YES
：
W66BP6NBHAGJ TR规格
零件状态
:
Active
安装类型
:
Surface Mount
内存类型
:
Volatile
工作温度
:
-40°C ~ 105°C (TC)
内存格式
:
DRAM
内存容量
:
2Gbit
存储器结构
:
128M x 16
封装 / 外壳
:
100-VFBGA
访问时间
:
3.6 ns
技术
:
SDRAM - Mobile LPDDR4
电压 - 供电
:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
内存接口
:
LVSTL_11
写入周期时间 - 字，页
:
18ns
时钟频率
:
1.867 GHz
供应商器件封装
:
100-VFBGA (10x7.5)
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