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MT53E256M16D1FW-046 WT:B
IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
型号：
MT53E256M16D1FW-046 WT:B
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（ICs）
> 存储器
> 存储器
描述：
IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
RoHS：
YES
：
MT53E256M16D1FW-046 WT:B规格
零件状态
:
Active
安装类型
:
Surface Mount
可编程
:
Not Verified
内存类型
:
Volatile
内存接口
:
Parallel
访问时间
:
3.5 ns
工作温度
:
-30°C ~ 85°C (TC)
内存格式
:
DRAM
内存容量
:
4Gbit
存储器结构
:
256M x 16
时钟频率
:
2.133 GHz
封装 / 外壳
:
200-TFBGA
供应商器件封装
:
200-TFBGA (10x14.5)
技术
:
SDRAM - Mobile LPDDR4X
写入周期时间 - 字，页
:
18ns
电压 - 供电
:
1.06V ~ 1.17V
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