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W66BL6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
型号：
W66BL6NBUAFJ
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（ICs）
> 存储器
> 存储器
描述：
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
RoHS：
YES
W66BL6NBUAFJ规格
安装类型
:
Surface Mount
零件状态
:
Not For New Designs
可编程
:
Not Verified
内存类型
:
Volatile
访问时间
:
3.5 ns
工作温度
:
-40°C ~ 105°C (TC)
内存格式
:
DRAM
内存容量
:
2Gbit
存储器结构
:
128M x 16
时钟频率
:
1.6 GHz
技术
:
SDRAM - Mobile LPDDR4
封装 / 外壳
:
200-WFBGA
供应商器件封装
:
200-WFBGA (10x14.5)
电压 - 供电
:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
内存接口
:
LVSTL_11
写入周期时间 - 字，页
:
18ns
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