MT53E768M16D1ZW-046 AIT:C
IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA
型号：
MT53E768M16D1ZW-046 AIT:C
类别：
集成电路（ICs）
> 存储器
> 存储器
描述：
IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA
RoHS：
YES
MT53E768M16D1ZW-046 AIT:C 规格
零件状态:
Active
安装类型:
Surface Mount
内存类型:
Volatile
内存接口:
Parallel
写入周期时间 - 字，页:
-
等级:
Automotive
认证:
AEC-Q100
工作温度:
-40°C ~ 95°C
内存格式:
DRAM
内存容量:
12Gbit
时钟频率:
2.133 GHz
封装 / 外壳:
200-TFBGA
供应商器件封装:
200-TFBGA (10x14.5)
技术:
SDRAM - Mobile LPDDR4X
电压 - 供电:
1.06V ~ 1.17V
存储器结构:
768M x 16
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